전지의 기전력 측정 (8.56V)
데이터시트를 보면서 참고하기 위해 CdS cell의 저항값 측정
황화카드뮴 소자가 어두울수록 저항이 커지고 밝을수록 저항이 작아지는데
저항이 15㏀정도가 나오는 정도의 밝기를 점등/소등의 기준으로 하기로 했다.
NPN트랜지스터 2sc1815는 달링턴회로를 구성하여
베이스-이미터 전압이 1.2V가 될 때 활성화되도록 했다.
따라서 콜렉터에서 이미터로 전류가 쏟아져내려가서 LED가 점등될 때
CdS cell에도 1.2V의 전압이 걸리게 된다.
(회로가 두 방향으로 나눠질 때 전류는 나뉘어져 흘러가지만 전압은 동일하게 걸리므로..)
그러면 저항 R1에는 8.56-1.2 = 7.36V의 전압이 걸려야 한다.
회로에서 저항 R1과 CdS cell(일종의 가변저항)이 있는 부분을 보면
전압은 저항에 비례해서 걸리므로 1.2 : 15 = 7.36 : x 라는 비례식이 만들어진다(15는 위에서 기준을 잡은 CdS의 저항값)
x값을 계산해 보면 92㏀이 나온다.
여기서는 100㏀짜리 저항으로 회로를 구성했다.
그리고 트랜지스터의 콜렉터 쪽에 LED의 동작전류/전압에 맞는 적절한 저항 R2를 연결한다.
아래와 같은 회로도가 완성되었다.
브레드보드에 부품들을 연결.
동작하는 모습을 촬영한 동영상.