전지의 기전력 측정 (8.56V)



데이터시트를 보면서 참고하기 위해 CdS cell의 저항값 측정



황화카드뮴 소자가 어두울수록 저항이 커지고 밝을수록 저항이 작아지는데

저항이 15㏀정도가 나오는 정도의 밝기를 점등/소등의 기준으로 하기로 했다.


NPN트랜지스터 2sc1815는 달링턴회로를 구성하여

베이스-이미터 전압이 1.2V가 될 때 활성화되도록 했다.


따라서 콜렉터에서 이미터로 전류가 쏟아져내려가서 LED가 점등될 때

CdS cell에도 1.2V의 전압이 걸리게 된다.

(회로가 두 방향으로 나눠질 때 전류는 나뉘어져 흘러가지만 전압은 동일하게 걸리므로..)

 

그러면 저항 R1에는 8.56-1.2 = 7.36V의 전압이 걸려야 한다.

회로에서 저항 R1과 CdS cell(일종의 가변저항)이 있는 부분을 보면

전압은 저항에 비례해서 걸리므로 1.2 : 15 =  7.36 : x 라는 비례식이 만들어진다(15는 위에서 기준을 잡은 CdS의 저항값)


x값을 계산해 보면 92㏀이 나온다.

여기서는 100㏀짜리 저항으로 회로를 구성했다.

그리고 트랜지스터의 콜렉터 쪽에 LED의 동작전류/전압에 맞는 적절한 저항 R2를 연결한다. 


아래와 같은 회로도가 완성되었다.





브레드보드에 부품들을 연결.





동작하는 모습을 촬영한 동영상.










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